特朗普政府发起的贸易战虽然收场，但这几个月，人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板，中国大量进口的IGBT也被挖了出来。有媒体就认为，由于中国IGBT需要大量进口，而这个产业又被西方国家把持，对于中国正在全力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过，在IGBT技术上，中国实际上并不差，大量依赖进口，并非技术水平不行。下面就随嵌入式小编共同来了解一下相关联的内容吧。
IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就是绝缘栅双极型晶体管。最初是未解决MOSFET的高导通压降而难于制成兼有高压和大电流特性的功率器件，以及GTR的工作频率低、驱动电路功率大等不足而研制的双机理复合器件。
由于IGBT集MOSFET和GTR的优点于一体，具有开关速度快、耐热性好、驱动电路简单、驱动电流小、通态压降小、耐压高及承受电流大等优点，因此在电机控制和开关电源，以及要求快速、低损耗的应用领域普遍的使用。无论是民用领域的轨道交通、新能源汽车、白色家电，还是工业控制、智能电网、国防军工，不能离开IGBT。
然而，就是这样一种较为重要的功率器件，却基本被英飞凌、三菱、富士电机、仙童等国外企业垄断了全球市场。国内市场需求80%以上需要进口，中国市场已然成为英飞凌等国外巨头的现金奶牛——近年来，英飞凌的IGBT模块在中国工业应用领域的市场占有率一直处在第一位。其中，通用变频器超过55%;中高压变频器超过80%;逆变电焊机超过50%;感应加热超过80%;运输领域超过70%。
中国国内企业在市场之间的竞争中不敌国外厂商，一方面的原因是国内厂商起步发展晚，失去了先机，且西方国家的工业基础比中国更强。另一方面，也因为IGBT这个行业的特殊性导致政府和企业不太愿意去投入大量资金发展IGBT。
虽然中国IGBT企业在商业上完全不敌英飞凌、富士通、三菱等国外大厂，但不能说中国在有关技术上差很多。诚然，国内大部分企业在IGBT技术上和国外大厂差距明显，但有一家公司的IGBT水平很强，相对于国内其他IGBT厂商能够说是鹤立鸡群的存在，那就是中国中车。
通过收购英国丹尼克斯公司，中国企业掌握了世界一流的技术。这里介绍一下丹尼克斯，是英国一家在IGBT方面有较深厚技术积累的企业，曾经研发出全世界第一条8英寸IGBT线。
虽然丹尼克斯在技术上很不错，但由于“我大英自有国情在此”，英国的不少高科技企业先后被出售，丹尼克斯也位列其中。虽然技术是买来的，但收购下来并实现消化吸收的技术，就是我们自己的技术。
目前，株洲那条生产线万片，主要供应国家战略领域和军工领域需求。由于产能非常有限，而且针对特殊领域也只是勉强满足，自然就没有余力开拓商业市场了。
既然国内IGBT技术水平并不差，那为何不去搞军民融合，扩大产能，开拓民用市场呢?其实是IGBT行业自身的特点，使政府和企业缺乏投资IGBT产业的动力。
首先，IGBT的市场规模偏小。目前，全球IGBT市场规模总共也就100亿美元左右。作为对比，存储芯片NAND FLASH和DRAM的市场规模则超过800亿美元。由于投资人都是趋利的，肯定会优先投资市场规模更大的芯片。这也是近年来，以紫光为代表的一批中国企业纷纷投资存储芯片的原因之一。
其次，IGBT是一个红海市场。目前，全球IGBT行业共有几百家公司参与市场之间的竞争，市场之间的竞争异常激烈，而且IGBT市场规模的增长率和未来的增长潜力相对于手机主芯片、存储芯片来说逊色不少。这又促使企业避开这个领域。
再次，国产化省钱作用不明显。在很多领域，由于国内企业做不出来，外商往往把产品卖出天价，然后国内企业把产品做出来以后把价格白菜化。但IGBT行业则不然。之前说了，由于市场之间的竞争很激烈，行业的集中度远远不像CPU、GPU、FPGA、NAND FLASH和DRAM等芯片这么高，这就使中国企业能够买到比较便宜的产品。而且由于价格实惠公道，利润不高，国内企业即便做出可以和英飞凌匹敌的产品，也会因为利润稀薄没办法回收研发成本而陷入资金链断裂的困局。
最后，就是IGBT的优先级不够高。IGBT是功率器件，和CPU这类逻辑器件存在一个很大的差别，那就是正常情况下不会像CPU那样可以植入逻辑后门。也就是说购买国外IGBT，不会像购买CPU那样存在安全风险。另外，虽然近年来中国在所有的领域不断取得突破，但现在中国受制于人的领域还有不少，比如CPU、GPU、FPGA、DSP、NAND FLASH和DRAM等等，就优先度来说，CPU要比IGBT高不少。在这种情况下，国家也只能抓大放小，先把优先度高的芯片做起来，在逐步解决优先度更高的芯片之后，才有余力去解决IGBT。
由于IGBT已经是红海市场，且市场规模相对偏小，以及国产化省钱不明显等因素，阿里、腾讯等不差钱的企业也不会像投资打车软件、共享自行车、订餐软件那样去烧钱。毕竟企业是以利润为导向的，即便一些企业家在媒体上如何表达自己忧国忧民的情怀，展现自己胸怀天下，但实际上，这些企业家只对股东和投资人负责，未必会对国计民生负责。
国家决策的起点是保证关键领域不被卡脖子，也就是说，现阶段的任务只是关键领域能够很好的满足基本需求——株洲和中国电科某所的一次会议上就直截了当的说“确保关键领域不被卡脖子”。就目前来说，国家还不会像扶持存储芯片那样，去扶持IGBT。
像中车为何会去搞IGBT，其中一个重要原因也是因为在高铁领域，别的需要攻克的难关基本都攻克了，出于完全国产化的需要，就顺带把IGBT也搞出来了。
至于在商业市场上把英飞凌、三菱的IGBT赶出中国市场，恐怕还需要等待时机。
以上是关于嵌入式中-这一普遍的使用的器件中国技术不差，差距在于产业化的相关介绍，如果想要了解更多有关信息，请多多关注eeworld，eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。
瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT 全新功率器件将在瑞萨新落成的300mm甲府工厂生产 2022 年 8 月 30 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件—— 该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用，AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。 此外，瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产，以满足市场对功率半导体产品日渐增长的需求。 与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅
市场调研公司IC Insight调整2010年全球半导体销售额的预测, 估计增长27%,达2530亿美元。并同时预测2011年半导体销售额再增长15%,达2900亿美元。 按IC Insight的最新说法，2010年全球半导体销售额将比之前较好的2007年的2340亿美元还好, 达到近期单年的最高增长值。 IC Insight曾在今年1月时预测2009年全球半导体下降9%,及2010年增长15%的预测, 此次又作了新的调整。 推动今年半导体增长的主要动力来自全球DRAM产业, 由于其平均售价ASP的上升,IC Insight估计全球存储器的销售额在2009年下降之后, 今年增长达74%。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载
据iSuppli公司，第一季度DRAM销售强劲，台湾力晶半导体表现突出，市场排名升至第五。 第一季度力晶DRAM营业收入为4.32亿美元，比2009年第四季度的2.39亿美元大增80.8%，比2009年第一季度暴增1068%。这在第一季度iSuppli公司的DRAM供应商排行榜中，是最强劲的表现，而且远优于总体产业。第一季度全世界DRAM营业收入比去年第四季度增长8.8%，比去年同期增长178.1%。 在最近的三个季度中，力晶的营收每季度都增长近60%，推动其排名上升。它在2009年第四季度排名第六，2009年第一季度排名第九。 力晶排名上升，源于其产量大幅度增长和产品结构优化，来提升了其DRAM
市场最新排名：台、韩系厂商表现亮眼 /
基於雙口RAM的單片機通信，軟件程序： #define _DPRAMCOMM_H #include reg52.h // 引用标准库的头文件 #include absacc.h #define uchar unsigned char #define LP_STT_SEM XBYTE // 左端状态旗语 #define LP_PRO_SEM XBYTE // 左端配置旗语 #define RP_STT_SEM XBYTE // 右端状态旗语 #define RP_PRO_SEM XBYTE // 右端配置旗语 #define INTL_SEM XBYTE // 左中断旗语 #defi
摘要：介绍了某型超声波电源的工作原理，采用移相式全桥串联谐振电路，以IGBT为功率开关器件，热耗小，转换效率高，噪音低，配合适当型号的清洗槽和清洗液，清理洗涤效果好。关键词：超声波电源；全桥；移相；绝缘栅晶体管 图1超声波清洗机电源主电路 图2等效电路拓扑 1引言 随着科学技术的发展和社会的进步，超声波清洗机在很多领域中得到了广泛的应用，尤其是在军事装备和各种电子、机械、光学等零部件的加工和处理过程中。但以前的超声波清洗机大多存在噪声大、效率低等缺点。为此，采用全桥移相式串联谐振电路拓扑，以IGBT为功率开关器件，研制成功某型便携式超声波清洗机。它具有热耗小，转换效率高，噪音低，
超声波电源的研制 /
全球内存龙头 三星 电子传出将进行 DRAM 扩产计划，业界认为，由于建厂时间还要两年，难解今年缺货窘境，不过受心理层面影响，恐让下半年 DRAM 涨势止歇。下面就随手机便携小编共同来了解一下相关联的内容吧。 三星 决定斥资87亿美元，扩充南韩华城厂 DRAM 产能。 三星 表示，新产线约需两年时间建造，将视研发进度和制程转换良率，决定生产18nm或更先进制程的DRAM。 对于今年DRAM供需，稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万，及威刚董事长长陈立白都表示，今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存(NAND Flash)，且只做DRAM 制程升级，未见扩大资本支出增产，加上DRAM市场除个人计算机外
台塑集团淡出标准型DRAM产业，在记忆体产业20年的钰创董事长卢超群认为，这是危机也是转机，台厂不是放弃DRAM业，而是调整做有价值的记忆体产品，未来将可在利基型应用另起炉灶。 「现在台湾DRAM产业的情况，就像林书豪一样，平常打得很好，难免扭伤了脚，但没关系，休养一阵子，不仅能走，还是能跳！」卢超群对于台厂在记忆体产业的发展，一点也不悲观。 卢超群昨（18）日出席玉山科技协会岁末晚宴前受访时做出上述表示。他认为，台塑集团的DRAM产业策略不能算退出，应该说是调整，南科要转为特殊型DRAM，不再做模组型而已。他指出，标准型DRAM以后会由美系和韩厂供应，台湾在DRAM产业会保持利基型与近逻辑型两大块，其中，近逻辑型DRA
ADI世健工业嘉年华——深度体验：ADI伺服电机控制方案
解锁【W5500-EVB-Pico】，探秘以太网底层，得捷电子Follow me第4期来袭！
随着科技的快速的提升，汽车工业正迈入一个全新的时代。在这个时代里，无人驾驶汽车已不再是遥不可及的梦想，而是正在慢慢地变为现实。随之而 ...
汽车充电桩是电动汽车外围最主要的设备，为电动汽车提供源源不断的电力。根据供电方法不一样，可分为交流充电桩和直流充电桩。汽车充电桩产品 ...
丰田第二代混合动力系统（THS-Ⅱ），机械构造之精妙，控制策略之严谨，可谓独步全球，其核心竞争力就在于动力分配行星齿轮机构Power S ...
电动车辆供电设备在1级和2级额定电压下为电动汽车电池充电。电动汽车（EV）车主依靠电动汽车供电设备（EVSE）为电池高效充电。EVSE通常被称 ...
Cybertruck的EPA文件提供了关于它电池包的一些基本信息参数信息。电池电压，电池容量为150Ah，总电量（816V*150Ah）约为122 4kWh，单位体积内的包含的能量约为 ...
站点相关：嵌入式处理器嵌入式操作系统开发相关FPGA/DSP总线与接口数据处理消费电子工业电子汽车电子其他技术存储技术综合资讯论坛电子百科
